
NTC放在上面这个电路里面,作用就是限制开机时候的浪涌电流。在开机之前,滤波电容是没有电的,电容两端电压为0V。在开机的瞬间,电容2端的电压不能突变,还是0V,相当于短路,同时二极管导通压降也很小,所以压降主要落在了NTC上面。可以想象,如果回路中没有NTC,那么这个电流是非常大的,或者NTC阻值很小,电流也会很大。

在线路上面串联一个NTC热敏电阻,在开机之前,热敏电阻温度比较低,所以电阻比较大,可以很好限制开机时的浪涌电流。开机之后,热敏电阻温度起来了,阻值比较低,也不至于产生过大的损耗。 那为什么要抑制浪涌电流呢?因为开机时,这个大的电流会流过二极管,如果电流过大的话,二极管可能会损坏,毕竟,整流二极管都是有一个参数叫IFSM,即允许通过的最大浪涌电流是有限制的。IFSM就是下面这个参数:


在25℃时是5Ω,在75℃只有1.5Ω左右。我们的电源通常是密封的,工作一段时间之后,如果散热差的话,内部整体温度是可能达到75℃的。如果在25℃时抑制浪涌电流是合适的,那么在75℃时,很有可能就不能很好的抑制了。当然,我这里说75℃只是举个例子,实际温度可高可低,我只是为了说明,温度高了,热敏电阻阻值会降低不少。 我们先按照这个想法简单计算一下:世界各国市电最高的是240V,允许偏差范围是±10%,那么最高电压就是240*110%=264V。这个电压是有效值,那么峰值电压是373V。开机之后的瞬间,电容相当于是短路,并且,如果开机时正好处于市电波峰或者波谷的时刻(市电为正弦波,波峰和波谷时电压分别为±373V),那么这个373V会通过两个二极管加到热敏电阻NTC上面了。如果是冷启动(25℃),那么NTC热敏电阻是5Ω,浪涌电流峰值就是 373V/5Ω=74.6A(粗糙计算,忽略二极管导通电压)。如果是热启动(75℃),那么热敏电阻阻值为1.5Ω,浪涌电流峰值就是373V/1.5Ω=248.6A 那这两个电流大不大呢?实际应用中,我找到一个60W的开关电源(比如12V/5A输出的)电路图。

图中热敏电阻选用5D-09(25℃时电阻就是5Ω),整流桥用的是KBL406。
查看整流桥KBL406的手册,IFSM=120A,所以说浪涌电流要限制到120A。

从前面算出,25℃冷启动时电流峰值为74.6A,小于IFSM,所以是没问题的。但是75℃热启动的话,电流峰值就达到了248.6A,超过了IFSM。 这么看的话,如果热启动的话,好像是有烧坏的风险。 那到底有风险吗? 上网查了查,发现个现象:大功率电源的NTC一般会加个继电器,小功率不会。

目的是开机电容充完电之后,将NTC短路掉,这样NTC自己不会发热,NTC会处于一个较低的温度。这样即使工作一段时间,掉电马上开机,NTC的阻值也不会太小。
也就是说,大功率电源是有降低这个风险的。不过加继电器可能更多原因是为了降低NTC的损耗,为了提高效率。但不管怎么说,大功率电源加了继电器确实是降低了热启动的风险。 问题是,为什么小功率电源不加继电器?难道是后娘养的? 大功率电源与小功率电源在电路上到底有上面区别呢? 最大的区别是,功率大的电源,整流桥后面的电容容量更大,电容容量更大会有什么不同呢?第一是,容量更大,那么电容的ESR会更小。第二是,容量更大,那么电容充电到相同的电压,电流相同的情况下,充电的时间更长。 关于第一点,我们应该可以想到,前面的计算方法是不精确的,没有考虑到电容的ESR,把电容当作是理想的来看。那么我们现在把ESR补上。 考虑电容ESR的影响我们先要知道铝电解电容的ESR情况,这个可以根据损耗正切值得到。耐压达到400V的铝电解电容的损耗正切值,厂家一般只标注最大值,最大值一般是0.15,0.2或者是0.25,各家的有一些区别。比如下图是台湾Leon的铝电解电容,可以看到,400V耐压的电容损耗正切值最大是0.24。



如果滤波电容较小,那么很容易想到,电容充电时间根本就不需要充8.3ms这么久。关于这一点,我简单的做了个仿真。假如是热启动,原本5Ω的NTC阻值变为1.5Ω,电解电容容量为120uF,ESR为R2=2.65Ω,当在市电正弦波为波峰时上电,LTspice仿真电路电路如下图

输入电压与二极管D1的电流波形如下图:

可以看到,二极管的最高电流与前面的计算基本是一致的,373V/(1.5+2.65)=89.87A。但是电流的波形根本就不是IFSM的那种正弦波测试波形,而是很快下降的,并且持续的时间大概是1.5ms,比8.3ms与10ms小不少。想想这个现象也正常。根据电荷量Q=C*U=I*t,电容量限,以较大的电流去充电,电容的电压可不就很快充上来了么? 假如是大功率的电源,滤波电容是1000uF,那么电流冲击如何呢?我们仅仅将电容改成1000uf,其它参数不变(先暂时不管ESR的减小)。仿真波形如下

可以看到,最高值还是不变的,接近90A,但是电流持续的时间变长了,大概是3.5ms 尽管两种情况的浪涌电流峰值是相同的,都接近于90A。但是在电容容量更大时,因为持续的时间更长,对二极管的冲击肯定是更剧烈的。可以想象,这两种情况下,电流持续时间都是小于8.3ms的,那么对二极管的真实的热冲击,都是小于芯片手册里面8.3ms的IFSM电流正弦波的冲击的。 这样我们可以反过来想,在电容更小的时候,因为充电电流持续的时间更短,那浪涌电流峰值是不是可以超过IFSM也不会烧坏。电容越小,是不是越可以通过更高的尖峰电流呢? 那有没有参数衡量能超过IFSM多少呢?还真有,就是I2t。但不是每个整流二极管都会标这个参数。我找到了一个更为详细的二极管的手册,D75JFT80V。

可看到,它有2个IFSM参数。10ms(对应50Hz)时IFSM=400A1ms时IFSM=1265A也就是说如果浪涌电流是只持续1ms的正弦波形,那么可以扛住1265A,这是8.3ms的400A的3倍多。 然后我们注意下二极管的I2t这个参数,单位是A2S,电流的平方乘以时间。这个I2t应该就是衡量二极管可通过电流与时间的关系的。这个二极管的I2t=800。 其实,我们通过I2t=800,是可以推算出t=10ms和t=1ms的IFSM的在t=10ms的时候I2t=(0.707*IFSM)^2*10ms=800,可求得10ms时的IFSM=400A。其中0.707是因为正弦波的有效值是峰值的0.707倍。同理,t=1ms的时候I2t=(0.707*IFSM)^2*1ms=800,可求得1ms时的IFSM=1265A。从上图可以看到,算出的这两个参数都是和芯片手册吻合的。 从以上可以看出,如果通过电流的时间短,那么二极管可以通过最大电流峰值是可以更高的。这个D75JFT80V也给出了不同时间允许的电流曲线,如下图:


KBL406的I2t=59.8经过仿真我们知道,电流持续时间大概是1.5ms(注意,如果不足1ms,也要用1ms计算,因为这个参数有要求,那就是1ms<t<8.3ms)。根据I2t=(0.707*I)^2*1.5ms=59.8,我们得到I=282A。也就是说如果电流只流过1.5ms,那么这个整流桥可以扛过282A的电流。从前面计算我们知道,即使是75℃热启动,使用ESR更低的电容(损耗正切值0.15),电流峰值可能会达到I=373/(1.66+1.5)=118A,这个也是不到282A的一半的,所以这个桥应该不会被浪涌电流损坏。 好了,关于为什么小功率电源的NTC不用加继电器,而大功率电源,一般要加继电器。答案应该就有了。 小功率电源的滤波电容容量小,ESR大,对抑制浪涌尖峰有很好的作用 。如此同时,滤波电容小,浪涌持续的时间就短,实际二极管能扛过的浪涌电流更大,能超过芯片手册里面的IFSM(8.3ms/10ms时)更多。所以即使是热启动,NTC的阻值比较低,浪涌电流大些,也不会烧坏。反之,大功率电源的滤波电容容量大,ESR小,对抑制浪涌尖峰作用小,抑制浪涌尖峰对NTC的依赖更大。同时浪涌持续时间长,可能超过IFSM(8.3ms/10ms时)一点点就坏了,所以必须严格控制,不然就真的拔插下电源进行热启动整流二极管就坏了
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