MOSFET作为栅极电压控制器件，栅源极驱动电压的振荡会极大的影响器件和电源转换器的可靠性，实际应用中严重的栅极振荡还可能会引起器件或电路异常失效。
那引起MOSFET栅源振荡的原因是什么？有没有办法消除？本文将从工程师日常笔记，来分析功率MOSFET的GS寄生振荡和振铃的原因与改善措施，以及器件外围驱动参数和器件本身的优化。
图1 MOSFET栅源控制示意图
1、MOSFET栅极振荡危害
1-1 导致EMI裕量不足；
下图2，图3是在一款50W LED电源测试不同MOSFET波形和EMI辐射测试图。
图2 VGS 振荡轻微的波形及辐射测试图
图3 VGS 振荡验证的波形及辐射测试图
由图2、图3可知，振荡轻微的EMI辐射裕量高出约6dB。
1-2 动态负载切换振荡严重导致器件失效
在某款电源动态测试时发现异常比例偏高，经过仔细测试分析发现该电源主开关管存在严重振荡现象如下图4。图4、图6中通道1是MOSFET VGS栅源驱动电压波形。图4中发现MOSFET出现反复的开通和关断。
通过进一步对异常导致失效的样品进行Decap 观察，发现芯片表面栅极压焊点存在较明显烧伤。通过应用端分析，导致栅极振荡是电源在动态负载切换时，MOSFET存在较大的电流应力且电流变化较快。经过应用端PCB布局调整优化等措施后，减小动态负载切换MOSFET电流应力，VGS振荡明显改善。
图4 电源动态测试VGS 栅源振荡严重
图5 振荡严重引起失效品Decap
图6 PCB布局调整优化后VGS波形
2、MOSFET栅极振荡机制分析
MOSFET振荡和振铃的主要原因如下：
2-1 振荡电路的形成
振荡网络形成在电路中，并导致MOSFET的寄生振荡。
振荡的条件是：
a相位条件
从输出到输入的反馈信号与输入信号在振荡频率上同相。（正反馈回路）
b振幅条件
由电路中的无源元件引起的损耗低于放大器获得的增益。当电路具有正反馈并提供补偿损耗的增益时，就会发生振荡。
图7 反馈网络示意图
v2=AHv1, Go＝v2/v1=AH 当AH为正时，将创建一个正反馈环路；当AH为负时，将创建一个负反馈环路。当正反馈环路的增益AH为1或更大时，它将变得不稳定并振荡。
v2=AHv1, Go＝v2/v1=AH 当AH为正时，将创建一个正反馈环路；当AH为负时，将创建一个负反馈环路。当正反馈环路的增益AH为1或更大时，它将变得不稳定并振荡。
2-2 漏极和源极之间的浪涌电压
关断期间，漏极和源极之间的振铃电压可能返回到栅极，通过栅极-漏极电容Cgd的正反馈环路连接到栅极端，并导致栅极电压振荡。
2-3 源电感
关断期间由漏极-源极电流的di / dt以及源极引线和导线杂散电感所感应的电压可能导致MOSFET的栅极-源极环路进入LCR谐振状态。
功率MOSFET具有较大的跨导gm和寄生电容。因此，导线和其他杂散电感（栅极，源极和漏极电路之间以及相关互连中的电感）可能会形成正反馈电路，从而导致寄生振荡。振荡电压可能会在正反馈环路和栅极上产生电压过冲，从而导致MOSFET永久损坏。
功率MOSFET易受寄生影响振荡：
a.负载短路时；
b.在gm变大的瞬态切换期间。
由于MOSFET工作在线性模式（即同时应用Vds和Id），因此可以通过电磁感应，寄生电容和其他因素形成正反馈路径。gm高的MOSFET的环路增益为1或更大时，就会进入寄生振荡。
图8 两种型号MOSFET 跨导 对比
图9 型号1 264V短路启动
图10 型号2 264V短路启动
从图9,10可以看出跨导较小的器件型号2，短路启动VDS漏源电压最大752V，而跨导较大的器件VDS漏源电压最大848V.
2-4 MOSFET 反馈环
图11 Colpitts振荡器等效电路图
Colpitts振荡器寄生振荡的条件表示为：
方程式1: gm≥（Cgs / Cds）/ R3
R3是漏源电阻
当满足方程式1时，就会发生寄生振荡。
图12 Hartley振荡器等效电路图
哈特莱Harltey 振荡器寄生振荡的条件表示为
方程式2：
图12中，L1是漏源端寄生电感，L3是栅源端寄生电感。L3越大，L1/L3比值越小，越容易导致振荡。也就是L3 寄生栅源电感越大，越容易振荡。
3、如何抑制或缓解栅源振荡
3-1 调整驱动电路阻尼比 ζ
方程式3:
驱动电路的阻尼比ζ=0,称无阻尼，系统无穷震荡，不收敛；
ζ由0约接近1，收敛越快。ζ＜1 称为欠阻尼，意味着系统存在超调且有震荡，
ζ＞1称为过阻尼，意味着系统不超调；
ζ=1称为临界阻尼，意味着系统不超调，且以最短时间恢复平衡状态或者稳定状态。
ζ=1 栅极电阻R计算如方程式4，例如门极回路寄生电感为25nH,门极等效电容为1nf,则临界电阻值是10Ω. L寄生电感越大，临界电阻值越大。
图13 驱动电路的阻尼比ζ 不同对应的栅源驱动波形仿真图
方程式4:
3-2 适当提高MOSFET内部寄生电阻Rgint.
Rgint 不是越高越好，维安SJ-MOSFET C2,C4系列内部Rgint 均有提高，维安SJ-MOSFET C2,C4系列通过提高栅极内部寄生电阻降低器件最高开关速度并改善抑制栅极振荡。
图14 MOSFET寄生参数模型
3-3 适当降低低器件跨导gm
由方程式2：gm≥（Cgs / Cds）/ R3，可知，适当降低低器件跨导gm，使器件参数不能满足方程式2，这样也就达不到振荡条件。
3-4 适当提高器件阈值电压
适当提高阈值电压可以缓解半桥或者全桥拓扑中上下桥臂直通概率。
小结：主要介绍MOSFET 栅极振荡引起问题并深入分析了其中的原因。结合实际案例验证改善的方法。
~END~
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