何谓半导体存储器？
半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制，使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。
与磁盘和光盘装置等相比，具有
数据读写快
存储密度高
耗电量少
耐震
等特点。
关闭电源后存储内容会丢失的存储器称作易失存储器（Volatile Memory），存储内容不会丢失的存储器称作非易失存储器（Non-Volatile Memory）。
半导体存储器的分类
* RAM (Random Access Memory) ：可自由对存储内容进行读写。
* ROM (Read Only Memory) ：只读存储器。
各种存储器的特点
| 项目 | RAM | ROM | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 易失 | 非易失 | ||||||
| SRAM | DRAM | FeRAM | Mask ROM | EPROM | EEPROM | FLASH | |
| 数据保存方法 | 施加电压 |
施加电压+ 更新 |
不需要 | ||||
| 读取次数 | ∞ | ∞ |
100亿～ 1兆次 |
∞ | ∞ | ∞ | ∞ |
| 可改写次数 | ∞ | ∞ | 0次 | 100次 |
10万～ 100万次 |
1万～ 10万次 |
|
| 在电路板上的写入 | 可以 | 可以 | 可以 | × | × | 可以 | 可以 |
| 读取时间 | ◎ | ◎ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ |
| 写入时间 | ◎ | ◎ | ○ | － | △ | △ | △ |
| 位成本 | △ | ○ | △ | ◎ | △ | △ | ◎ |
| 大容量化 | ○ | ◎ | △ | ◎ | △ | △ | ◎ |
| 存储单元 |
 存储在触发器电路 |
 在电容器中保持电荷 |
 使铁电发生极化 |
 将离子注入晶体管 |
 在浮栅中保持电荷 |
 在浮栅中保持电荷 |
 在浮栅中保持电荷 |
＜DRAM＞原理
存储单元构成
由1个晶体管、1个电容器构成
数据的写入方法
＜"1" 时＞
Word线电位为 high
Bit线电位为 high
Word线电位为 low
＜SRAM＞原理
存储单元构成
由6个晶体管单元构成
由4个晶体管单元（高电阻负载型单元）构成
数据的写入方法
＜"1" 时＞
Word线电位为 high
给予Bit线的电位(D=low, D=high) → 确定触发器的状态
Word线电位为 low
数据的读取方法
＜"1" 时＞
使Word线电位 off
对Bit线预充电(D, D与D相同的电位)
Word线电位为 high
Bit线变为 low、high的状态
用感测放大器进行增幅
通过触发器电路存储"1"、"0"
＜Mask ROM＞原理
Mask ROM存储单元构成
高度集成化的NAND构成。（1个晶体管单元）
数据的写入方法
在Wafer过程内写入信息
"1"：将离子注入晶体管
"0"：不注入离子
数据的读取方法
使读取单元的Word线电位为0V
使读取单元以外的Word线电位为Vcc
→ 对Bit线施加电压，
如果有电流流过，则判断为"1"
＜EEPROM＞原理
EEPROM存储单元构成
由2个晶体管单元构成
数据的写入方法
数据的删除方法
＜FLASH＞原理
FLASH存储单元构成
数据的写入方法
数据的删除方法
来源：ROHM